使用AFM解决二维材料的扭曲层的角度依赖性特性

石墨烯等二维材料可能是构建“超越CMOS”设备的承诺候选人，这些设备能够比当前技术允许的更高密度和速度。已经发现，用轻微的扭转角度分层可以在石墨烯中造成带隙，其缺乏固有的带隙，或者调整像过渡金属二甲基化物（TMDS）的材料中的带隙。用原子力显微镜表征这些效果需要超高分辨率的结构和电性能的高灵敏度测量。这个新的应用笔记提出了三个最近的出版物的结果，该出版物展示了如何用于在2D材料中扭曲超晶格中的角度依赖性属性来表征庇护所研究。

下载应用笔记：

• 压电响应力显微镜和开尔文探头力显微镜可用于表征双层的双层石墨烯
• AFM的导电性如何扫描隧道显微镜可以用来测量扭曲双层石墨烯的导电性降低吗
• AFM的纳米尺寸如何用于系统地研究导电性作为TMD /石墨烯异质结构中扭曲角度的函数

(免费下载，庇护研究，原子力显微镜技术的领导者)