用原子力显微镜研究薄膜的纳米电特性

绝缘薄膜在电子产品中用作介质层，在电缆上用作轻质绝缘。在这些应用中，一个bob综合app官网登录关键的性能测量是薄膜的介电击穿强度。宏观尺度随时间变化的介电击穿(TDDB)测量是最常用的表征手段，但原子力显微镜能够更详细地了解微尺度缺陷如何影响薄膜性能。

本应用说明描述了两种表征这些绝缘薄膜的技术。首先，结合原子力显微镜(AFM)的传统地形成像技术导电AFM (CAFM)绘制薄膜中微尺度缺陷的存在，并确定在这些缺陷处是否发生电流泄漏。第二种是不太为人所知的技术纳米尺度随时间变化的介质击穿(nanoTDDB)是用来制作纳米尺度的宏观尺度TDDB测量的类似物。这些纳米otddb测量有助于更好地理解薄膜在纳米和微尺度下是如何破裂的。

本应用说明描述:

• 发展改进介电薄膜的动机概述
• 不同等离子体气相沉积(PVD)技术沉积介质膜的比较
• 用AFM绘制微尺度缺陷，测量漏电流
• 介绍纳米尺度随时间变化的介质击穿(nanoTDDB)技术，补充传统的宏观尺度TDDB测量

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