使用Nir光致发光表征纳米粒子量子结构

挑战的背景

纳米技术正变得越来越普遍在我们周围的世界和我们现在依靠的设备如传感器(运动、压力、温度),材料具有异国情调的属性如防水、极端的力量,“智能”,低粘滞作用,显示屏技术等等,不断增加的应用程序列表。bob综合app官网登录在纳米和微尺度上如此小的尺寸，材料呈现出不同于本体的特殊性质，在本体中量子性质变得非常重要。遇到的材料的例子是由半导体材料、碳纳米管和等离子体纳米结构制成的量子点和线[1,2]。这些进展的关键是对潜在的量子特性有一个清晰的理解。表征这些材料的关键参数是它们的物理尺寸、形状、晶体结构、化学化学计量和载流子密度和输运。一系列工具可提供，包括AFM, SEM, SNOM, PSTM，t和光致发光光谱（PL）。

技术解决方案

光致发光是一种强大的光谱和成像技术，用于阐明这些量子结构中的载流子的性质。在半导体材料中，带隙往往位于近红外区域，因此在近红外区域用激光激发样品是特别重要的，导致近红外光致发光（NIR-PL）在〜700nm的光谱区域中的研究高达约2μm。实验所需的主要成分通常是激光，样品架和递送/收集光学源，通常是微光谱结构，分散光谱仪和高灵敏度检测器。后者的重要性是重要的，因为一个人经常处理低光子制度 - 特别是如果实验正在看单一粒子。作为说明性示例，已经使用950nm的激发来研究电子和孔之间的吸引力和排斥的库仑相互作用，通过监测1.5μm的光致发光发射，在InAs / InP QWR中限制在InAs / InP QWR内的一个尺寸。这提供了有关电子和光学性质如何随着捕获的载波密度而变化的信息

andor解决方案

Andor提供了一系列高灵敏度的近红外探测器Kymera.和三叶草光谱范围从可见的近红外光谱到1.7µm以上。硅基探测器的灵敏度可达1µm以上。基于InGaAs的探测器灵敏度较长波长为1.7µm和2.2µm。这取决于使用的材料。在选择近红外探测器时，需要考虑几个关键的传感器技术:

• 深度耗尽（DD）- 较厚的硅和更深的耗尽层增强了NIR中较长波长光子的灵敏度，
• 边缘抑制(置)- 在制造中使用的过程增强了干扰光子在硅结构中的去相干，从而减少了流苏或标准效应，
• 低暗流深耗竭(LDC-DD)-传感器的设计特性显著降低了与这些传感器相关的固有热暗电流，
• 防反射涂层-特别参考双ar涂层，以增强传感器的量化宽松。

参考文献

1. B.Alén，D. Fuster，G.Muñoz-Matutano，J.Martínez-牧师，Y.González，J.Canet -Ferrer和L.González，“Exciton气体压缩和单个半导体量子线中的金属凝结”，Phys。rev. lett。101（2008）067405。
2. S. Godefroo，M.Hayne，M.Jivanescu，A.Stesmans，M. Zacharias，O.I.Lebedev，G.Van TendeloO和V.Moshchalkov，Si NanoTals'，自然纳米技术，自然纳米技术，自然纳米技术，自然纳米技术，自然纳米技术，自然纳米技术，Vol。3，2008年3月，174-178。