图1:x射线事件直径作为能量的函数
当入射光子被CCD的硅吸收时,直接探测就发生了,从而产生电子空穴(e-h)对。如果这种吸收发生在CCD的损耗区域内,电子和空穴就会被CCD电极结构产生的内电场分离。电子被电场捕获,空穴迅速重组。捕获的电子随后可以被“时钟”到放大器和读出。因此,只有在损耗区形成的e-h对的电子才会被当作信号读出。当入射光子被吸收时,形成的e-h对的数量和它们在硅中形成的云的大小与入射光子的能量直接相关。下面的图表和表格显示了这些关系。
该方程适用于光子能量> 10ev,假设有一个理想的量子产额。
N超高频-形成e-h对的平均数目
E超高频—生成e-h对所需能量3.65 eV/e-对于RT的硅
E(eV) -入射光子的能量
能量色散检测
图2:x射线事件直径作为能量的函数
入射光子能量和CCD中产生的电子数量之间的关系意味着,在低通量情况下,每像素事件单个光子,x射线源的能量可以计算出来。这种强大的技术是EDS(能量色散光谱)应用的关键。bob综合app官网登录这可以通过使用从图像像素信号级别生成的直方图实现。在这个直方图中发现的峰值给出了一个计数水平,从这个计数水平可以用相机的灵敏度推导出产生的电子的数量,然后可以发现入射光子的能量。
能量分辨率
能量分辨率是对单个能量线分辨能力的一种度量。它可以通过能量峰的FWHM来计算。CCD的理论极限能量分辨率由下式*表示
应用(eV) = 2.355 (E (eV) E超高频F一个]½
F一个=范诺因子= 0.1*
E(eV)=入射光子能量
E超高频=能量产生e /h对
CCD相机的直接探测能量分辨率是检测相机性能的一种有效方法。设计和接口必须是最优的,以接近理论能量分辨率,与所有的相机关键性能参数优化。
安铎制造世界领先的相机,因为我们优化这些参数,以实现最佳的系统性能,从设计到我们世界领先的相机平台的最终建造阶段。整个系统的关键参数必须达到最高的性能;电荷转移效率(CTE),电子噪声,最低暗电流在整个动态范围内的线性响应,在安多尔我们将其作为标准。
能源范围(eV) | 每吸收一个光子产生E-h对 |
1.1 - -3.1 | 单一的情况对 |
> 3.1 | 多个超高频双 |
表1。电子产生总量与能量范围的关系
x射线光子能量(keV) | 波长(nm) | 波长(A) | 每个探测到的x射线产生e-h对 | 电子云直径(μm) | 校准源 |
0.01 | 124.00 | 1240 | 3. | 0.00001 | |
0.1 | 12.40 | 124 | 27 | 0.00030 | |
0.5 | 2.48 | 24.8 | 137 | 0.00508 | |
1 | 1.24 | 12.4 | 274 | 0.01710 | |
5 | 0.25 | 2.48 | 1370 | 0.28589 | |
5.9 | 0.21 | 2.1 | 1616 | 0.38193 | 菲55Kα |
10 | 0.12 | 1.24 | 2740 | 0.96160 | |
11 | 0.11 | 1.13 | 3014 | 1.13614 |
表2。关键参数表
*范诺因子是一个经验常数,用于确定x射线光子或粒子相互作用时产生的电荷变化。该因子是由经验推导出来的,被确定为0.1。
参考James R. Janesick -科学电荷耦合器件