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制造高质量器件和敏感光谱仪的方法,用于表征它们
确保任何设备的最佳排放需要高质量的制造。从GaAs / Algaas中的均匀量子孔深度从INP波导或GaN高亮度LED中的光滑侧壁,我们具有工艺解决方案。我们在GaN和III-V材料的加工过程中的长经验意味着我们了解在批量或单晶片制造中提供高吞吐量的高吞吐量所需的内容。我们的GaN蚀刻损坏损坏,以保持表面质量,而我们为GaAs / Algaas提供选择性和非选择性蚀刻,以提供最佳质量,是否挑战在VCSELS中没有侧壁或精确的深度控制。一旦完成了一个过程,表征结果非常重要。光子多量子阱结构可以具有小于5nm的QW深度。对于这些结构,通常使用元素分散光谱和透射电子显微镜(TEM)实现元素表征。由于优化的传感器,我们的TEM X-MAX EDS探测器的范围可确保高吞吐量和准确的结果,可提供最高的灵敏度。这允许在几分钟内绘制纳米尺寸装置特征,以便可以表征样品中的元素的实际分布,并且可以理解制造过程的成功。