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从样品制备到电特性再到物理分析
通常有必要将这些纳米尺度的电响应与电子显微镜成像联系起来，例如在设备失效分析中，缺陷必须定位以便稍后隔离和进一步表征。这是通过我们的全探针纳米操纵器系列实现的，其中电子特性成像技术，如电子束诱导电流(EBIC)和电子束吸收电流(EBAC)，可以在接触10纳米特征的同时进行。
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一旦在一个装置中发现并定位故障，通常需要移除该结构以便在另一种仪器(如透射电子显微镜)中进行进一步分析，或在同一仪器中达到一组更有利的条件(如聚焦离子束)。半导体工业的要求需要一个可重复的过程，每个样品的典型时间小于30分钟。当器件朝向3或5纳米节点时，这一任务的难度进一步增加，因为这要求样品厚度小于20纳米。OmniProbe 400是实现这一切的完美工具，压电驱动运动允许在10nm尺度上重复定位，而同心旋转允许轻松实现先进的制备几何形状，这导致最高可能的质量标本。
您也可以将OmniProbe400与阿兹特克LayerProbe允许提升与局部厚度测量相结合，以实现薄标本制备的真正过程控制。
使用说明:制备高质量的TEM片层
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对于半导体器件的失效分析，金属化层必须暴露在外。这变得越来越具有挑战性，因为设备中的节点尺寸变得越来越小，架构变得越来越三维。我们的等离子辅助蚀刻工具确保多种半导体化合物，无论是氧化物，氮化物或多聚物，都能被准确去除，而不会提升或破坏金属化。我们灵活的FA工具可以使模具的降解速度比以前的过程快10倍，以确保最大的吞吐量和生产力。
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保持联系一旦发现了故障设备并将其与模具的其余部分隔离开来，真正的探测工作就开始确定故障的根本原因。失败的原因可能是由于过程中的化学成分不一致，外来污染物颗粒或沉积材料的晶体结构变化等许多其他可能性。许多这些潜在的故障原因都非常小，通常只有几纳米。我们的最新一代Ultim极端能量色散x射线光谱仪(EDS)允许您在与扫描电镜成像相同的条件下工作，以10纳米分辨率获得大块设备上的元素信息。
在TEM中X-Max TEM探测器由AZtecTEM确保在尽可能高的分辨率下进行尽可能高的定量分析精度。
应用注:在扫描电镜中映射半导体器件
下载申请须知应用注:TEM中的半导体测图
下载申请须知并非所有的设备故障都是化学性质的。有些是由于沉积材料的结构甚至相。电子背向散射衍射(EBSD)在扫描电镜图像的每一个像素处收集电子衍射图样，允许对局部晶体结构进行表征。通过对这些衍射图的处理，可以分析晶粒结构、相对取向、晶界取向甚至局部应力和应变。这允许器件性能与结构的相关性，这对于理解金属化互连和通过硅通孔的导电性特别有用。结合EDS，不仅可以确定材料的结构或元素组成，还可以确定材料的相。对称EBSD是第一种基于CMOS的检测器，比任何其他EBSD相机提供更高的速度和灵敏度。这使用户能够在更短的时间内收集更高质量的数据，最大限度地提高生产力。
对于数据存储行业来说，理解磁盘介质的纳米级磁行为对于理解其在最终设备中的性能至关重要。磁力显微镜(MFM)可以直接成像磁盘介质和其他磁性器件的磁畴结构。无论是在磁记录位元的分析，还是在读/写它们的换能器的性能，我们的MFP-3D无限AFM可变场模块(VFM)允许对最具挑战性的标本进行精确分析。
MFM还可以与压电力显微镜(PFM)一起用于表征多铁复合材料的磁电耦合。由于这些材料在双电场和磁场可调谐信号处理装置中的可用性，因此具有重要的研究意义。
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