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单位数节点的完整特征

单位数节点的全结构和成分电子束表征

在纳米尺度上理解半导体器件的化学和结构对于识别致命缺陷、失效过程以及表征和评估新器件是至关重要的。借助最新的EDS和EBSD分析工具,牛津仪器使您能够将半导体器件的电子束表征超越灰度图像,bob平台下载手机版以成像关键器件组件的组成和结构,并帮助识别关键缺陷的根本原因。我们的分析解决方案有助于避免特征描述过程中代价高昂的延迟,实现基于可靠和容易解释的结果的快速和准确的决策。

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从你的FIB-SEM中获得更多信息

速度和准确性是做出及时决策的关键。使用Ultim®Extreme在FIB-SEM上实现高空间分辨率EDS表征,从而击败TEM队列。减少数据处理时间,改善决策:

关于如何从您的FIB-SEM获得更多信息,请下载下面的应用说明。

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充分理解失效机制

我们的EBSD探测器范围允许在二维和三维互连的完整结构特征。解析透硅通孔(TSVs)的结构信息,这是理解器件性能和使用对称性S2检查大面积金属间化合物的关键。EBSD性能:

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从您的TEM获得最佳性能

对于仍然需要TEM进行埃分辨率成像和元素分析的样品,Ultim Max TLE是最佳解决方案:

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为完整的图像组合数据集

有时需要结合多种技术来完全理解一个系统。Relate是一个相关软件包,优化工作与EM, EDS, EBSD,和AFM数据和图像。让电子显微镜技术提供结构和成分数据,并结合表面粗糙度数据和来自AFM的电测量:

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