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2017年7月14日

FlexAL-2D 2D材料ALD等离子体处理系统

bob平台下载手机版牛津仪器的ALD和2D技术专家与埃因霍温科技大学的研究团队合作,开发了用于纳米器件应用的二维过渡金属二卤族原子层沉积(ALD)的创新FlexAL-2D。bob综合app官网登录

FlexAL-2DALD系统为2D材料的生长提供了许多好处:

  • 二维材料的增长

    • 在CMOS兼容温度下
    • 精密数码厚度控制
    • 大面积(200mm晶圆)
  • 2D材料的健壮ALD工艺

    • 自限性ALD增长
    • 金属氧化物半导体2:
      • 无氧无碳(<2%)
      • 每周期高生长~0.1 nm/周期
      • 晶体材料超过300°C
  • 可调形态:控制基面或边面方向
    • 创建高级2D设备结构
  • ALD电介质和其他ALD层的生长2D材质在一个工具
  • 射频衬底偏压电影属性控制选项

的宽参数空间FlexAL-2DALD系统允许在比CVD炉更低的温度下生长二维过渡金属二卤族化合物。首先研究了二维金属氧化物半导体的生长2材料由ALD在450°C和较低温度下将呈现7月16日th这是埃因霍温研究人员在丹佛ALD会议上发表的2017年研究成果.采用等离子体增强ALD合成二维MoS层2具有可调谐形貌的薄膜,例如在CMOS兼容的SiO上的平面内和垂直站立的纳米尺度结构2/ Si基质。二维平面内形貌在纳米电子学中具有潜在的应用价值,而三维翅片结构则是催化应用(如水裂bob综合app官网登录解)的理想材料。

牛津仪器等离子体技术ALD产品经理Chris Hodson对这项研究感到很bob平台下载手机版高兴,“Bol博士和TU/e的等离子体与材料加工(PMP)小组正在将ALD研究的边界推进到新的应用领域。二维材料是一个热门话题,利用ALD在较低的温度下生长,并将二维材料与ALD沉积和其他200毫米的加工方法相结合,提供了一种具有多种可能性的新能力。”

Ageeth Bol博士评论道:“我们对来自牛津仪器的ALD FlexAL新配置的结果感到非常兴奋,该配置已经满足了我们的需求。”bob平台下载手机版波尔解释道。研究人员对相对较低的温度特别感兴趣。“对于CVD工艺,通常需要超过800摄氏度的温度。这对于半导体的应用来说往往是致命的,因为高温会增bob综合app官网登录加原子的扩散,使它们更难被放置在正确的位置。我们想要一种在较低温度下生产高质量材料的工艺。这对于我正在研究的二维非均匀层尤其重要,因为在较低的温度下,层间原子的扩散会更少。”