4月22日

材料科学的创新对于半导体工业界努力制造更强大、更节能的处理器和数据存储设备。氧化铪就是这样一种材料,它已经被应用于一些新装置中。它是少数与硅具有热力学稳定性的二元氧化物之一,可用作高k介电材料。最近,人们发现氧化铪可以通过掺杂硅并机械地“盖住”薄膜而沉积成铁电薄膜。这是一种有前途的下一代器件的材料,利用硅/铁电连接,如超高速,低功率铁电晶体管(FeFETS)。

这张DART PFM相位图像显示了在3 μm扫描尺寸的掺硅氧化铪薄膜中不同极化的铁电畴。

图片说明:这张DART PFM相位图像显示了3 μm扫描尺寸的掺硅氧化铪薄膜中不同极化的铁电畴。

新的应用说明演示了如何使用避难研究原子力显微镜(AFMs)使用压电响应力显微镜(PFM)来表征铁电氧化铪薄膜。铁电材料通常表现出非常小的压电响应,这很难用传统的PFM测量。然而,Asylum Research独家的双振幅共振跟踪(DART)技术极大地提高了PFM测量的灵敏度,同时避免了传统PFM中常见的测量伪像。这种能力是独一无二的庇护的研究并适用于所有MFP-3D, Cypher和Jupiter AFM模型。

有关更多信息,请参阅https://afm.oxinst.com/Hf-oxide

前两页的应用程序注释-铁电氧化铪 下载应用程序说明