2016年10月03
bob平台下载手机版牛津仪器公司通过蚀刻技术开发用于射频器件制造的碳化硅
作为广泛应用的工艺解决方案的领先供应商，牛津仪器很高兴地宣布开发和推出通过等离子蚀刻工艺的高性能SiCbob平台下载手机版bob综合app官网登录等离子体箴One hundred.北极星蚀刻系统。
碳化硅正成为一种越来越重要的材料，特别是在使用碳化硅作为基板的高性能GaN射频器件领域。通过SiC的平滑通孔蚀刻对于实现这些设备是必不可少的，牛津仪器公司已经开发出了高效蚀刻高质量SiC通孔的理想解决方案。bob平台下载手机版结合低损伤氮化镓蚀刻在相同的硬件，等离子体箴One hundred.Polaris为基于GaN的射频器件等离子体蚀刻加工要求提供了独特的能力。
该技术通过应用提供了适合SiC的几种工艺能力:
- 高SiC蚀刻速率，支持最大吞吐量
- 光滑的侧壁无问题后蚀刻金属
- 对底层GaN层的高选择性，使GaN器件层平滑、低损伤停止
- 使用牛津仪器独特的专利静电夹具技术夹紧蓝宝石载体，确保良好的样品温度控制bob平台下载手机版和最大的产量
- 通过先进的等离子体源技术在同一工具中刻蚀SiC和GaN的能力
- 较长的平均清洗间隔时间(MTBC)提供了高利用率
牛津仪器等离子体技术光电子产品经理Mark Dineen博士说:“我们的应用专家花了大量时间通过蚀刻工bob平台下载手机版艺开发这种SiCbob综合app官网登录等离子体箴One hundred.Polaris蚀刻系统，具有高选择性和高吞吐量等优点。这些优点将使我们的客户能够通过先进的等离子体源技术在同一工具中蚀刻SiC和GaN。”
bob平台下载手机版牛津仪器提供世界领先的等离子体处理系统，并提供超过6000个工艺配方的图书馆，所有这些都由全球支持和服务网络支持。
