什么是2D材料?

PECVD石墨烯"

利用等离子体增强化学气相沉积在介电基材上直接生长纳米晶石墨烯。

• 温度> 900°C

2 d异质结构

二维二硫化钼(MoS)的原位生长₂)石墨烯异质结构

我们提供CVD/PECVD/远程等离子体(ICP) CVD系统，配备前驱体蒸汽输送模块，用于石墨烯、MoS等材料的二维层和异质结构的生长₂, WS₂等。

这是一个三步过程:

• 步骤1:在铜上生长石墨烯
• 步骤2:将石墨烯从Cu转移到SiO₂
• 步骤3:生长的金属氧化物半导体₂石墨烯转移到SiO上₂
  
  

工艺特点:

• 温度> 900°C
• 形成一层MoS₂经拉曼光谱证实
• 沉积时间是保证MoS单层完整的关键₂形成
• MoS温度₂石墨烯表面的沉积及其质量对石墨烯在MoS过程中的稳定性至关重要₂过程

垂直的石墨烯

• 温度600°C - 900°C
• 负载锁定系统提供了更高的吞吐量，因为不需要冷却生长室交换样品
• 这个过程需要净化气体
• 成核取决于底层底物和c源组合(Carbon, 2013, Vol. 58,59 - 65)

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