啤酒吗?我听到你在说什么?不，这不是一种用温发酵方法酿造的啤酒，在你们都冲去维基百科之前。ALE要令人兴奋得多。这是另一个半导体工艺首字母缩写用来描述一个tomicl艾耶尔E开关．ALE是蚀刻等效的原子层沉积(ALD)。它采用循环的两步蚀刻方法，由初始表面修饰和随后的去除组成，重复多次。

那么它有什么好处呢?当涉及到定义纳米特征、保持关键尺寸、减少纵横比依赖蚀刻和提供光滑表面时，原子层蚀刻可以更好地控制。这些特性使得该技术高度适用于硅晶体管的尖端制造。然而，可能有另一种应用程序可能会利用ALE。宽带隙功率半导体的世界也在寻找解决方案。与硅相比，GaN具有更高的耐温能力，更高的击穿电压，以及更低的开关损耗，从而获得更高的功率转换效率。我们感兴趣的方法是h本electron米能力transistor。我们感兴趣的具体设备是增强型HEMT或e型HEMT。

有各种各样的器件设计，包括凹式肖特基门，p-GaN门，当涉及到低或不稳定的阈值电压和/或高泄漏电流等特性时，它们有许多缺点。图1所示的反转型器件具有较低的栅漏电流，较高且稳定的阈值电压，但也被证明是难以制造的。它所需要的是一种精确控制栅极凹坑蚀刻的蚀刻停止和最小化固定电荷和界面陷阱的方法。bob平台下载手机版牛津仪器等离子技术是使用这两家公司开发的啤酒而且“肾上腺脑白质退化症”确定这些技术是否适用于批量生产。所以如果你想做GaN功率器件，让我们看看ALE是否找到了一个新家。如果做不到，就去酒吧喝杯热啤酒。注意这个空间。

作者:Knut Beekman，高级产品经理(Etch)