上周我在波士顿的美丽的城市,在稀薄大气的红砖摩天大楼和哈佛大学和麻省理工学院化合物半导体一周(世界基督教联合会)。世界基督教联合会(实际上3½天)结合了两个会议,国际研讨会上复合磷化铟半导体和内部会议和相关材料。它汇集了学者、学生和工业科学家目前基于主题从锑化红外探测器,使用的石墨烯场效应晶体管(fet)有机化学蒸汽沉积(金属)合成氮化镓。作为一个应用bob综合app官网登录工程师花很多时间考虑等离子体,使样品中的漏洞,有意思的是讨论完成设备和其他过程进入形成。

bob平台下载手机版牛津仪器等离子技术是展示海报与氯和氩ICP刻蚀输入。主流的蚀刻过程输入和甲烷,氯气和氢气有许多优点,包括宽过程窗口和低衬底温度。然而,氢可以改变半导体的电特性和过程产生碳基聚合物涂层样品和室增加流程步骤和清洗时间。chlorine-argon过程聚合物和氢自由和提供了一种替代方法对于某些类型的输入腐蚀过程。这个过程可以使用光学跟踪发射光谱学(OES),看着从等离子体的光谱来确定哪个层被腐蚀。

有一个主题在氧化镓会话。β-Ga₂O₃是一种透明导电氧化物具有异常高的带隙(≥4.8 eV)和一个非常高的击穿电场(E_br= 8×10⁶五厘米⁻¹)。这使它的理想材料的下一代高频通信系统和节能电力电子。当前设备比例接近他们的操作电压的限制。新材料将会发现如果设备的能源效率将继续增加。论文讨论了关于不同主题的合成₂O₃通过融化增长和汽相外延,掺杂β-Ga的困难₂O₃和固体的解决方案的形成₂O₃完整的生产测试设备,如场效应晶体管。

会议提供了一个很好的概述目前研究半导体社区。现在回去工作所以我有数据来出席在日本CSW2019 !

对于任何问题bob平台下载手机版牛津仪器等离子技术流程或产品发送电子邮件:plasma-experts@oxinst.com

作者:凯蒂·马博士