2019年10月16日|马克Dineen博士

VCSELs的未来

几年前我在一个会议上的VCSEL行业永远被形容为“产业”,对于那些不熟悉这个词,这意味着小规模与单个产品规范。快进到2017年,苹果推出的脸ID在iPhone X和这个评论是被风吹走。市场将从数以百万计的iphone意味着数以百万计的相同VCSELs需要一个有效的成本,VCSELs已经从制造业产业高卷。这是什么意思对VCSEL制造业和新的应用程序,这意味着什么激光雷达等发挥作用?bob综合app官网登录

晶片大小

半导体行业的格言之一就是晶片尺寸越大越好,VCSEL晶片也不例外。近期的事态发展已经从100 mm到150 mm晶圆提供更多的mm²每个进程运行类似的成本。然而,增加表面积对产量有负面影响,接下来去哪里。

收益率

VCSEL的制造过程低收益率一直困扰了很长一段时间。例如氧化孔径。铝的氧化速率指数变化层的内容。如果稍微Al含量不同的晶圆片你会得到一个大孔径大小的变化,因此性能在整个晶片和你的收益率将会贫穷。有了巨大的飞跃在epi层控制和氧化率以减少这种影响。它已被证明成功的150毫米。

等离子体处理,这是牛津仪器等离子技术,还必须开发解决方案。bob平台下载手机版蚀刻复杂多层不同的材料,顺利,一直在整个晶片不是微不足道的。我们开发了过程和硬件解决方案专门为这个任务,非常兴奋地看到高容量生产客户使用这些伟大的结果。

所有权的收益与成本导致公司盈利能力这是对我们的思想总是问“接下来是什么?”

接下来是什么?

开车到更高的力量,让更多的光线对于一个给定的表面积。实现这意味着集群VCSELs靠近,所以这种影响等离子体处理如何?看一些简单的,物理(我喜欢简单)你不想让一个设备的几何重叠与另一个。如果你做,那么会发生干涉和设备更高效地运行。实际这意味着尖锐特征,没有长脚的底部的一个VCSEL合并到隔壁的。我们开发了一个极好的低脚腐蚀过程意味着VCSELs可以比以往任何时候都更紧密。

不同的需求的另一个例子是表面的钝化。当VCSELs走近他们关闭之间的差距相对的高度特性,这可能导致纵横比(AR)相关的影响,等离子体过程是材料运输有限。通过使用先进的技术原子层蚀刻(ALD) AR效应可以消除在这些层面确保保形涂层材料在整个表面。

VCSELs已经进入了主流的消费设备证明非常成功的在提供新的用户体验。未来他们将被更广泛采用和牛津仪器等离子体技术作为复合半导体制造业高容量的选择使所有权的成本来实现这一点。bob平台下载手机版

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