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磷化铟(InP)是一种直接带隙III-V化合物半导体与电子迁移率高。这使它理想的光电设备,如高频激光二极管(LD)、二极管、显微镜头等。
控制这些材料的临界尺寸在加工过程中,必须实现垂直剖面、低设备损坏和优秀的胎侧的表面质量得到理想的结果。
在这个网络研讨会,马克博士Dineen将专注于等离子体蚀刻可使解决方案及相关材料,分析两个可使腐蚀化学反应,CH4/ Cl2/小时2和Cl2基于“增大化现实”技术。同时,他将演示的过程要求的成功制造各种光电设备:激光二极管(LD),照片二极管列阵波导光栅(AWG)和显微镜头。
观察记录
马克Dineen博士是一位有经验的技术营销经理拥有超过20年的等离子体处理经验。他最近的工作包括将这些知识应用到广泛的设备从半导体激光器GaN-based射频设备。
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