原子层沉积和蚀刻氮化镓功率电子产品

甘新电力电子器件正在开发电力转换和交付,氮化镓的高流动性和击穿电压使其电力设备的理想材料。在电动和混合动力电动汽车(EV、HEV),这些设备变得越来越重要和设备成本和效率对他们的成功至关重要。然而,仍然有制造挑战需要解决实现所需的设备性能和整片产量。

“E-mode”设备是电力设备和故障安全运行必不可少的几个设计用于实现这一目标的一般机械故障性能。p-GaN和隐藏式门HEMT器件都需要创新的过程解决方案。腐蚀深度控制,沉积的high-k dieletrics和低伤害在超敏感表面都是设备性能的关键。

在本白皮书中,我们讨论一些策略来创建高效GaN设备包括使用原子层蚀刻(ALE)休会蚀刻沃甘障碍和高吞吐量的原子层沉积(ALD)₂O₃闸极介电层和钝化。

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优势的血浆ALD甘、电力及射频设备

阅读更多关于ALD如何优化氮化镓功率设备在我们的白皮书。

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Atomfab ALD最快的远程等离子体生产系统在市场上。ALD技术为高级应用程序提供了精确控制超-薄膜在纳米范围内,随着保形涂层基质的敏感结构。bob综合app官网登录

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