失败分析的行业领先流程和系统干燥蚀刻去处理

收益管理是半导体制造的关键因素。为了提高产量，一个关键技术是对失败的芯片或晶圆进行除外，以查找和分析故障点以消除失败点。

特色解决方案

各向同性聚酰亚胺去除（Rie或者ICP模式）
各向同性氮化物（钝化）去除（PE或者ICP模式）
各向异性氧化物（IMD/ILD）去除（Rie或者ICP模式）
各向异性低K氧化物去除（Rie或者ICP模式）
金属骨架去除（Rie或者ICP模式）
去除多-SI（Rie模式）
Al和Cu去除（ICP模式）
背面散装SI去除（ICP模式）

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FA白皮书

在这份白皮书中，我们提供了一套用于FA的等离子体处理工具，目的是提供有关其适合不同任务的实用指导。

FA白皮书

故障分析SEM 1

故障分析SEM 2

故障分析SEM 3

故障分析SEM 4

更多信息

为了进行分析或缺陷识别，必须适当准备设备，随着设备体系结构变得越来越3维，这变得更具挑战性。血浆辅助蚀刻和沉积用于确保准确，快速实现的结果。

可以通过快速清洁的多聚酯，IMD和金属来追踪和分析整个结构的问题，从而可以进入基础层
通过薄膜沉积装饰样品可极大地提高TEM和SEM分析的准确性

bob平台下载手机版牛津仪器的灵活故障分析（FA）工具允许多种过程，能够将小型或包装的设备处理到300mm晶片。控制良好的处理意味着金属导电轨道没有损坏。

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