牛津仪器集团的一部分bob平台下载手机版
扩大

氮化镓

氮化镓(GaN)是一种令人兴奋的材料,它使一些重要技术取得了关键进展。氮化镓高亮度led (hbled)已经彻底改变了照明,氮化镓激光二极管用于高速数据传输,而基于氮化镓的射频设备很快将用于高效功率传输和移动电话基站。氮化镓可以用电感耦合等离子体(ICP)活性离子蚀刻(RIE)离子束腐蚀(IBE).可存放使用“肾上腺脑白质退化症”

氮化镓

工艺专业知识,证明优异的表面粗糙度,低损伤和优化的蚀刻率。

在ICP 请求更多的信息
氮化镓ICP刻蚀

各向异性剖面达到竞争蚀刻速率。

  • 单一晶片尺寸:200毫米
  • 批处理大小:6 x2”
更多关于RIE 请求更多的信息

良好的剖面控制,选择性极佳。

更多关于IBE 请求更多的信息

高材料的质量。

更多关于“肾上腺脑白质退化症” 请求更多的信息

相关产品