氧化硅

二氧化硅（SIO.₂)是半导体、MEMs和光电子器件的基本材料。石英用于增强现实(AR)光栅;掺杂氧化物用于波导和硅氧化物₂可用于设备钝化。SiO₂可以使用以下几种技术进行沉积和蚀刻:

的PlasmApro 100 Polaris.结合独特的静电钳(ESC)技术以及我们建立良好的Cobra300 ICP源。这提供了优良的重复性，同时保持高蚀刻速率和剖面质量。

优化的过程优化，以优化的蚀刻速率优异地控制轮廓。

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高纵横比优质纳米尺度SIO₂腐蚀

各向异性和各向同性剖面可在竞争性刻蚀速率与优化均匀性。

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在优化特征倾斜方面具有专业知识的良好控制。

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优异的材料质量和低损伤，即使在低沉积温度。

非常高的符合性与短周期时间(90 ms prec。4.5 s等离子体)。礼貌你/ e

厚度和折射率的优异均匀性，以及高沉积速率可用应力控制。可以使用不同的化学试剂:纯硅烷和稀释硅烷。

SiO₂使用TEOS和O沉积₂通过ICP CVD在〜50μm深沟槽4：1纵横比中

厚度和折射率均匀性好。在高沉积速率下可以进行应力控制。可以使用不同的化学试剂:纯硅烷和稀释硅烷。

单一晶片尺寸:300毫米
批量大小：可达43x2"， 19x3"， 10x100mm, 7x120mm, 4x150mm, 2x200mm
- 产品:PlasmaPro 800

具有竞争性沉积速率的优异化学计量。

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