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原子层蚀刻(ALE)是一种先进的腐蚀技术,允许优秀的深度控制浅特性。作为设备特征尺寸进一步减少,啤酒还需进一步实现最佳性能所需的精度。
高保真传输模式(蚀刻)是至关重要的制造今天的先进的微电子设备。功能收缩sub-10nm水平和小说设备利用超薄二维材料,越来越需要量子保真度。
这导致了越来越多的兴趣被称为原子层蚀刻技术(ALE),它克服了传统方法的限制(连续)蚀刻在原子尺度。Plasma-based原子层蚀刻是一种周期性的蚀刻过程气体计量和离子轰击,可去除材料一层一层地和有可能删除非常低的单原子层的破坏。
原子层腐蚀通常涉及一个周期的4步骤,根据需要多次重复来实现所需的腐蚀深度。这个例子展示了啤酒与Cl沃甘腐蚀2基于“增大化现实”技术。
步骤1)剂量的衬底的刻蚀气体吸附于和反应腐蚀材料。腐蚀气体通常是等离子体分离以提高吸附率。定量气体的正确选择和参数,这可以是自限性的,如果化学剂量停止后吸附一个单层。
步骤2)清除所有剩余剂量的气体。
步骤3)轰炸的表面与低能量惰性离子去除表面反应层。这可以自我如果离子的能量就足以消除化学改性层,但不足以(溅射)腐蚀底层散装材料。
步骤4)蚀刻产品的净化室。
啤酒适合广泛的材料,包括硅、硅,金属氧化物半导体2、SiO2甘,沃甘III-V, Si3N4石墨烯,高频振荡器2,ZrO2,艾尔。2O3、金属等。
材料蚀刻 |
剂量气体 |
腐蚀气体 |
金属氧化物半导体<子> 2 |
Cl <子> 2 |
基于“增大化现实”技术 |
Si或晶硅 |
Cl <子> 2 |
基于“增大化现实”技术 |
SiO <子> 2 |
瑞士法郎C <子> 3 < /订阅>或<子> 4 F <子> < /订阅> 8 |
基于“增大化现实”技术或者O <子> 2 |
沃甘或氮化镓 |
Cl 2 <子> < /订阅>,BCl <子> 3 |
基于“增大化现实”技术 |
沃甘或氮化镓 |
N <子> 2 < /订阅> O |
BCl <子> 3 |
砷化镓或AlGaAs |
Cl 2 <子> < /订阅>,BCl <子> 3 |
基于“增大化现实”技术 |
InP或InGaAsP等。 |
CH 4 <子> < /订阅>,Cl <子> 2 |
基于“增大化现实”技术 |
罪 |
H <子> 2 |
基于“增大化现实”技术 |
艾尔<子> 2 < /订阅> O <子> 3 |
BCl <子> 3 |
基于“增大化现实”技术 |
石墨烯 |
O <子> 2 |
基于“增大化现实”技术 |
高频振荡器<子> 2 < /订阅>,ZrO <子> 2 |
Cl 2 <子> < /订阅>,BCl <子> 3 |
基于“增大化现实”技术 |
沃甘啤酒过程周期
沃甘每循环使用和不腐蚀氯剂量
原子层蚀刻设备是建立在13年以上的经验。主要特点包括:
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