化学气相沉积

CVD是一种成熟的技术，用于沉积多种不同成分和厚度的薄膜，直至一层原子。

CVD系统室的深入图

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突出了

衬底直接位于电极上，可加热至1200˚C
气体注入到工艺室通过“淋浴头”气体入口在顶部电极
用于二维材料MOCVD、ZnO纳米线CVD等新工艺的固液前驱体递送系统。
自动负载锁定，将样品直接转移到热台，节省加热和冷却时间。
等离子体增强选项，低温沉积或等离子体辅助转换或功能化以及室清洗。
在同一腔室中可以进行多种工艺处理
PlasmaPro®100纳米是一种高温CVD/PECVD系统，专为纳米结构材料和硅基薄膜的高质量沉积而设计。

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可达1200˚C台面温度
直接和远程等离子增强选项
操作压力高达5 Torr(可能更高)
干燥等离子清洗过程，末端控制，消除或减少需要的物理/化学室清洗
多重加热/冷却液体/固体前体输送系统，外加12条气体输送管道。
提供广泛的材料沉积，包括:

基于Si的PECVD/ICP CVD工艺和高温CVD工艺在同一腔室中进行
一维材料的生长，如碳纳米管、氧化锌纳米线和硅纳米线
石墨烯、hBN、MoS等二维材料生长₂/ WS₂和其他过渡金属二卤族化合物(TMDCs)

CVD操作中的图像，远程等离子体

铜箔上的石墨烯畴。(在完成薄膜之前，增长被阻止，以在SEM中可视化域)

铜箔上的石墨烯畴

hBN化学汽相淀积

MoS的CVD生长₂

金属氧化物半导体₂化学汽相淀积

多的2 d材料……

PlasmaPro 100纳米	700°C表	800°C表	1200°C表
薄膜的过程	SiOx, SiNx, aSiC, aSi， μc-Si, polySi*	SiOx, SiNx, aSiC, aSi， μc-Si, polySi	SiOx, SiNx, aSiC, aSi， μc-Si, polySi
一维纳米材料	多壁碳纳米管，Si, Ge NWs, ZnO NWs	多壁碳纳米管，单壁碳纳米管，Si, Ge, ZnO NWs	多壁碳纳米管，单壁碳纳米管，Si, Ge, ZnO NWs
二维纳米材料	NA	NCG,垂直的石墨烯	NCG，垂直石墨烯，BN, MoS₂ CVD石墨烯

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化学汽相淀积系统