电感耦合等离子体蚀刻

ICP - RIE蚀刻技术是一种先进的蚀刻技术，具有高刻蚀速率、高选择性和低损伤处理的特点。由于等离子体可以保持在低压下，因此也提供了良好的剖面控制。

的眼镜蛇^®ICP源产生均匀的高密度等离子体，能够在低压下工作。基片直流偏压由单独的射频发生器独立控制，允许控制离子能量，根据特定的工艺要求提供卓越的结果。

白皮书

ICP蚀刻系统技术示意图

关键好处

独特的宽温度范围电极从-150ºC到+400ºC，范围广泛的工艺解决方案，广泛的材料和设备
高离子密度(>1011 cm3)和高自由基密度实现高蚀刻速率
源设计为优秀的交叉晶圆均匀性
控制选择性和低离子能量造成的损伤
在低压处理下，具有高密度的活性物质，具有良好的剖面控制能力
通过单独的基片直流偏压控制来独立控制离子能量

请求更多的信息

bob综合app官网登录

用于led或激光器和功率器件的氮化镓蚀刻
具有光滑蚀刻表面的垂直磷化铟(InP)波导
非选择性GaAs/AlGaAs，实现了VCSEL的光滑侧壁
精确的VCSEL台面蚀刻，具有卓越的蚀刻深度控制
高选择性GaAs/AlGaAs用于光电子学
波导的氧化物蚀刻
故障分析应用，删除:bob综合app官网登录
- 各向同性聚酰亚胺和各向同性氮化物(钝化)，
- 各向异性氧化物(IMD / ILD)
- 氧化性能
- 铝和铜
- 背后批量如果

特性

独立的射频和ICP发生器提供了对离子能量和离子密度的独立控制，实现了高工艺灵活性
化学和离子诱导蚀刻
也可以在RIE模式下运行某些低蚀刻速率的应用bob综合app官网登录

可用于ICP-CVD模式下的沉积
高导泵浦端口提供高气体吞吐速度最快
静电屏蔽消除电容耦合，减少对设备的电损伤，减少室粒子
以夹紧和氦冷却为标准，提供了良好的温度控制和宽温度范围的选择

具有光滑侧壁和干净表面的InP的ICP蚀刻

InP的ICP蚀刻，显示光滑的侧壁和干净的蚀刻表面

采用Cr掩膜的二氧化硅波导的ICP蚀刻

采用Cr掩膜的二氧化硅波导的ICP蚀刻

硬件

	PlasmaPro 80	PlasmaPro 100	PlasmaPro北极星
电极的大小	240毫米
加载	打开负载	装入锁或盒式磁带	装入锁或盒式磁带
晶片大小	高达50mm(2”)*	200毫米	200毫米
MFC控制的气体管道	8或12管路气箱可用	3-5紧密耦合的气体管道，可选择8-12外部	8或12管路气箱可用
晶片级温度范围	-150 - 400ºC

请求ICP蚀刻系统的价格

ICP刻蚀系统

80年PlasmaPro ICP

PlasmaPro 100眼镜蛇ICP

PlasmaPro 100 Polaris ICP

PlasmaPro 80

良好的晶片温度均匀性
可容纳高达200mm的晶圆
优化电极冷却

100年PlasmaPro眼镜蛇

反应物质的高密度
宽温度范围电极，-150°C至400°C
应用于广泛的市场

100年PlasmaPro北极星

高通量和卓越的蚀刻结果
高密度等离子蚀刻源
增强的离子控制和均匀性

下载PlasmaPro 80宣传册

下载PlasmaPro 100宣传册

下载北极星小册子

相关内容

白皮书
大功率VCSEL阵列的干法刻蚀

网络研讨会
如何等离子蚀刻碳化硅(SiC)以实现器件性能的最大化

白皮书
InP激光二极管器件生产:DFB光栅刻蚀，实现最佳性能

网络研讨会
高质量inp基蚀刻:实现光滑的表面使用控制加工