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离子束蚀刻（或惰性气体研磨）是通过在高真空室中使用适当图案的掩模将带电粒子（离子）束引导至基板来实现的。它使高度定向的离子束（其空间电荷被来自中和器的电子中和）能够控制蚀刻侧壁轮廓以及径向均匀性优化，并在纳米图案化过程中形成特征，特别是利用光束的倾斜角和轴上旋转实现轴对称。
另一方面，倾斜样品（不旋转）改变离子束冲击方向的独特能力可以产生角度特征。在这两种情况下，蚀刻过程都可以通过使用反应气体的化学（RIBE和CAIBE）来辅助，以提高蚀刻速率和对掩模的选择性。
| Ionfab |
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| 离子刻蚀源 | 最大尺寸分别为4“和8”时为150mm或300mm |
| 蚀刻区 | 直径不超过200mm或方形不超过150mm |
| 压盘速度 | 最高可达20转/分 |
| 压板倾斜角 | 光束与基材表面法线之间的0º到75º |
| 压板加热 | 带PID控制的嵌入式加热器，温度高达300ºC |
| 压板冷却 | 流体冷却剂5ºC至60ºC，带有He或Ar背面气体，用于衬底冷却(高达50Torr) |
离子束蚀刻可通过两种方式应用：使用惰性离子进行物理蚀刻或研磨工艺，或使用RIBE/CAIBE与反应离子物种，以增加化学/反应成分的不同材料蚀刻速率，并提高选择性。
在反应离子束刻蚀（RIBE）和化学辅助离子束刻蚀（CAIBE）模式中，添加了反应物种（CHF）3.，SF6.N2.，O2.等），以增加蚀刻产物的挥发性和对掩模材料的选择性。
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