活性离子蚀刻(RIE)

反应离子蚀刻(RIE)是一种简单的操作和经济的解决方案，一般等离子体蚀刻。单个射频等离子体源决定了离子密度和能量。

我们的RIE模块提供各向异性干蚀刻
广泛的过程范围。

白皮书

网络研讨会

RIE

突出了

多种蚀刻工艺选择:

化学蚀刻-各向同性，速度快
离子诱导蚀刻-各向异性，介质速率
物理蚀刻-各向异性，速度慢
广泛应用于bob综合app官网登录半导体的分解和失效分析

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RIE特点:

固态射频发生器和紧密耦合匹配网络，快速和一致的蚀刻
全区域工艺气体进口花洒，气体分布均匀
电极温度从-150ºC到+400ºC
泵送能力高，工艺压力窗口宽
带He背面冷却的晶圆夹紧可用于最佳晶圆温度控制

广泛的材料可以蚀刻，包括:

介电材料(SiO₂,罪_x等)。
硅基材料(Si, a-Si, polysi)
III-V材料(GaAs, InP, GaN等)
溅射金属(Au, Pt, Ti, Ta, W等)
类金刚石碳(DLC)

	PlasmaPro 80	PlasmaPro 800	PlasmaPro 100
电极的大小	240毫米	460毫米	240毫米
加载	打开负载		负载锁定或盒式
基板	240毫米	460毫米	200mm带载体可用于多晶片或小片
MFC控制管线	8或12管路气箱可用
晶片级温度范围	-150°C到400°C	10°C到80°C	-150°C到400°C
背面冷却选项	是的	没有	是的
ICP选项	是的	没有	是的
集中等离子体	是的		没有

我们有幸与伦敦大学学院博士后Oscar Kennedy博士和伦敦大学学院高级研究员Wing Ng博士讨论了他们最新的研究项目，以及他们如何使用我们的PlasmaPro®80 RIE系统。

Oscar Kennedy博士使用PlasmaPro RIE系统通过蚀刻超导NbN薄膜来创建超导电路，而Wing Ng博士使用RIE系统精确地绘制出50 nm的间隙，在一对波导之间形成光滑的侧壁，用于芯片的光缓冲器。阅读案例研究要学习更多的知识。

PlasmaPro 100 RIE与UCL的案例研究

阅读完整的案例研究

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RIE系统