反应离子刻蚀-等离子体增强(RIE-PE)

反应离子蚀刻等离子体增强RIE-PE)在一个工具上结合了两种简单的等离子体生成技术。

有了RIE，随着样品表面的加速电压吸引等离子体中的离子，可以实现更定向的蚀刻和更快的速度。PE没有加速电压，并且发生更多的各向同性刻蚀。

白皮书

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突出了

衬底电极冷却
顶部或底部电极射频驱动(13.56 MHz)
自动切换
淋浴保持气体入口(在顶部电极)
参数:气体流量、压力、射频功率

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固态射频发生器和紧密耦合匹配网络，快速和一致的蚀刻
全区域工艺气体进口花洒，气体分布均匀
电极温度从-150ºC到400ºC
泵送能力高，工艺压力窗口宽
带He背面冷却的晶圆夹紧可用于最佳晶圆温度控制

	PlasmaPro 80
电极的大小	240毫米
加载	打开负载
基板	看到产品宣传册
MFC控制管线	4、8路或12路燃气箱可用
晶片级温度范围	-150ºC - 400ºC
背面冷却选项	是的
ICP选项	是的
集中等离子体	是的

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RIE-PE系统