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由于倾斜的结构，这一过程非常容易受到离子偏转的影响，从而导致不对称蚀刻，从而失去对角度的控制。然而，并不是所有的技术都是一样的。许多基于等离子体技术的技术要么复杂、昂贵，要么不能保证在大范围内良好的蚀刻速率和轮廓均匀性。离子束刻蚀是提供物理化学刻蚀方向性的最佳方法。离子束处理的气体压力比其他等离子体技术低得多。这使得更少的气体散射和更好的剖面控制。
特征的周期性取决于应用。对于AR耳机，波导组合器的典型周期约为λ/2到λ，产生约100到200 nm的沟槽。这些尺寸要求使用更精细的光刻设备，如电子束光刻或纳米压印。如果没有明确的掩模结构，缺陷就会在加工过程中转移到特征上。因此，在蚀刻前确定掩模的轮廓是至关重要的。一般的扫描电镜特征可以用来成像掩膜，但是评估必须在晶圆片的整个表面进行。一旦掩模处理被很好地理解和控制，最佳成品率可以在倾斜蚀刻过程中实现。
晶圆间的均匀度目标是由应用的要求来定义的，包括晶圆的尺寸和每个晶圆的晶圆数量。然而，根据蚀刻反应器的设计，与目标均匀性相匹配的面积可能并不对应于整个晶圆尺寸。边缘排除可达40mm。大的边缘排斥是离子分布不均匀的结果。当以一定角度进行干蚀刻时，靠近离子源的区域蚀刻深度较大。设备制造商既可以调整离子分布，也可以利用离子阴影来补偿离子分布的不均匀。这两种方法都可以进行微调，以最大限度地提高过程的均匀性。
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