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过程新闻2016年春季

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    生长过程开发
  • 摘要等离子体预处理
    为减少GaN表面
    界面陷阱metal-oxidesemiconductor
    电容和高
    电子迁移率晶体管使用
    ALD氧化铝
  • 精密三维nanomachining
    硅纳米线
  • 一维接触2 d
    材料

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