牛津仪器集团的一部分bob平台下载手机版
扩大

GaN和SiC功率半导体器件的工艺解决方案

宽带隙功率半导体器件的工艺解决方案

基于GaN或SiC的宽带隙功率半导体器件的采用所带来的潜在能源效率节约,已经导致了重大的研究和开发,现在开始在商用设备中实现。

许多技术挑战已经得到解决,但进一步的研究仍在进行中,以实现更高性能、更低成本的设备。

谈判:

第一个演讲将介绍当今可用的工艺解决方案,第二个演讲将概述应对下一代设备挑战的研究。

看现在

演讲者

克里斯·霍德森,牛津仪器等离子技术公司功率半导体和ICT设备产品经理bob平台下载手机版

伊恩·塞恩教授格拉斯哥大学超快系统(电子和纳米尺度工程)教授

阅读他们的传记

主办:电力电子世界