GaN器件的栅电介质-网络研讨会-牛津仪器bob平台下载手机版 - bob网app,bob综合app手机客户端,bob综合app官网登录

2019年7月11日下午3:00(英国夏令时)

关于网络研讨会

新的氮化镓电力电子正在开发用于电力转换和传输。在电动和混合动力电动汽车(EV和HEV)等电动交通领域，这些设备正变得越来越重要，设备的成本和效率是它们成功的关键。

在本次网络研讨会中，Aileen O'Mahony博士将讨论GaN HEMT器件的最佳ALD解决方案。我们将演示如何实现提供最佳GaN器件性能所需的高薄膜质量和低界面缺陷密度，以及如何实现以下目标:

优秀的薄膜均匀性
优化工艺条件，降低衬底损坏
高材料质量卓越的器件性能
保形沉积

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满足节目主持人

艾琳O’mahony博士
牛津仪器等离子技术公司原子尺度加工产品经理bob平台下载手机版

艾琳·奥马奥尼博士拥有科克大学(University College Cork)微电子应用领域原子层沉积(ALD)化学博士学位。bob综合app官网登录Aileen曾在美国和英国从事ald功能化产品商业化的工业驱动过程开发。

她现在专注于推进原子级处理产品解决方案。她是20多个出版物的作者和合著者，并在许多国际会议上发表演讲。

观察记录

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