牛津仪器集团的一部分bob平台下载手机版
扩大
崩溃
牛津仪器集团的一部分bob平台下载手机版
磷化铟(InP)是一种直接带隙半导体，在光电器件中有多种用途。为了获得高质量的最终产品，InP干蚀刻步骤必须反复给出所需的蚀刻结构。
对于许多器件来说，低的表面损伤和侧壁和底座的表面质量尤为重要。
在本次网络研讨会上，我们的高级应用工程师Katie Hobob综合app官网登录re博士将介绍两种InP蚀刻工艺，CH4/Cl2/H2和Cl2/Ar，以及影响最终蚀刻产品的工艺条件，重点是侧壁和表面质量，并举例说明器件。她还将详细介绍InP蚀刻中光学和激光端点的使用。
Katie专注于蚀刻磷化铟、砷化镓和其他iii - v相关材料。她于2013年获得牛津大学无机化学博士学位，在那里她研究固态氢存储材料。凯蒂还拥有伯明翰大学材料和纳米技术硕士学位，以及布里斯托尔大学化学本科学位。
她的工作是开发和支持蚀刻工艺的客户要求和新产品介绍。
©Obob平台下载手机版xford Instruments 2021
