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磷化铟(InP)是一种直接带隙III-V化合物半导体与电子迁移率高。这使它理想的光电设备,如高频激光二极管(LD)、二极管、显微镜头等。
控制这些材料的临界尺寸在加工过程中,必须实现垂直剖面、低设备损坏和优秀的胎侧的表面质量得到理想的结果。
在这个网络研讨会,马克博士Dineen将专注于等离子体蚀刻可使解决方案及相关材料,分析两个可使腐蚀化学反应,CH4/ Cl2/小时2和Cl2基于“增大化现实”技术。他还将演示的过程要求的成功制造各种光电设备:
马克博士Dineen有超过20年的等离子体处理经验。他最近的工作包括将这些知识应用到广泛的设备从半导体激光器GaN-based射频设备。
马克现在是一个有经验的技术营销经理展示了历史的复杂的技术交流思想和科学概念不同的观众。肾上腺白质退化症患者,这些技术包括啤酒、CVD、ICP、PECVD和RIE等离子体处理"和覆盖这些如何交付设备解决方案给我们的客户。
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