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磷化铟(InP),直接带隙半导体,有多个用于光学和电子设备。最终产品质量好,可使干蚀刻步骤必须反复给所需的蚀刻结构。
对于许多设备,低表面损伤和胎侧的表面质量和基础尤为重要。
在这个网络研讨会,我们的高级应用工程师,凯蒂·马博士将描bob综合app官网登录述两个可使腐蚀过程,CH4 / H2和氯氯/ Ar和工艺条件将影响最终的腐蚀产品专注于侧壁和表面质量,在设备的例子。她还将详细使用光学和激光端点InP蚀刻。
凯蒂专门从事蚀刻磷化铟、砷化镓和其他III-V-related材料。她收到DPhil 2013年在牛津大学无机化学,她研究了固态储氢材料。凯蒂也有研究硕士在材料和纳米技术从伯明翰大学和布里斯托尔大学的化学本科学位。
她工作为客户需求开发和支持腐蚀过程和新产品介绍。
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