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高性能氮化镓的基本步骤SiC射频设备

高性能氮化镓的基本步骤SiC射频设备

GaN SiC射频设备正变得越来越重要,意识到今天的通信所需的高效的高频设备。沃甘/氮化镓高电子迁移率的2度使快速交换*功率损耗较低。构建这些设备需要精确控制的等离子体处理,没有这些知识设备寿命和性能会受到影响。bob平台下载手机版牛津仪器等离子体技术通过先进的技术和工艺,提供解决方案。

基于氮化镓射频设备提供许多优势转换的速度和功率密度等其他材料。氮化镓的内在材料特性等宽的带隙,高电子迁移率、高导热性、高击穿电压使其良好的性能选择大功率高频设备。本机GaN基板,但是,很贵,可能仍在可预见的未来由于技术壁垒。之间的氮化镓衬底选择射频目前硅和碳化硅。

作者

马克Dineen博士
技术营销经理,牛津仪器等离子体技术bob平台下载手机版