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白皮书
世界领先的碳化硅功率器件等离子工艺解决方案

bob平台下载手机版牛津仪器等离子技术开发了一套创新的等离子工艺解决方案,旨在实现最大的碳化硅(SiC)器件性能。

SiC在动力器件制造中具有独特的性能,并被逐步应用于实现突破性性能所需的新技术和令人兴奋的技术。SiC是一种宽频带隙半导体,具有高击穿场和高导热系数。这些固有的优势使电力设备的生产能够满足迫切的工业要求,即更小、更轻、更高效的技术,并能在高温下工作。SiC功率器件在电源/功率因数校正和光伏应用方面已经有了一定的效益和可观的市场。bob综合app官网登录即将出现的是电动汽车和混合动力汽车(EV和HV)以及相关的基础设施。从长远来看,节省大量效率的范围是相当可观的,而且远远超出这些关键应用。bob综合app官网登录

在本白皮书中,我们考虑等离子体处理的作用及其在定义设备性能和应用的最佳策略中的重要性。我们还研究了一次SiC器件的结构,如肖特基势垒二极管(SBDs)和金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)。

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作者

Mark Dineen博士

Mark Dineen博士
牛津仪器等离子技术技术营销经理bob平台下载手机版