反应离子束蚀刻(Ribe)是适合蚀刻倾斜特征的技术。该技术允许使用宽离子束局部地移除材料。在晶片表面在离子源中形成的加速离子和反应物质之间的碰撞之后,在晶片表面上除去材料。
定义倾斜特征的控制和可重复性取决于先进的离子束源配置和经验丰富的处理条件。
在本文中,我们描述了我们的解决方案是如何实现作为增强现实波导组合器光耦合器的倾斜光栅的受控处理的。我们演示了对倾斜角度、槽深和大尺寸晶圆片填充率的控制。