PECVD石墨烯"

直接纳米晶体生长石墨烯在介质基板使用plasma-enhanced化学蒸汽沉积。

• 温度> 900°C

2 d异质结构

原位2 d二硫化钼(金属氧化物半导体的增长₂)石墨烯异质结构

我们提供远程等离子体CVD / PECVD / " (ICP) CVD系统配备前体蒸汽交付模块发展的二维层和异质结构材料如石墨烯、金属氧化物半导体₂,WS₂等。

这是一个三步的过程:

• 步骤1:铜上生长石墨烯
• 步骤2:从铜到SiO转移石墨烯₂
• 步骤3:生长的金属氧化物半导体₂石墨烯转移SiO₂
  
  

工艺特点:

• 温度> 900°C
• 单一的金属氧化物半导体层的形成₂证实了拉曼光谱
• 沉积时间是至关重要的,以确保一个完整的单层金属氧化物半导体₂形成
• 温度的金属氧化物半导体₂沉积在石墨烯及其质量是稳定的石墨烯在金属氧化物半导体的关键₂过程

垂直的石墨烯

• 温度为600°C - 900°C
• Load-locked系统提供更高的吞吐量,因为不需要冷却的生长室交换样品
• 他需要净化气体的过程
• 成核取决于底层衬底和c源组合(碳,2013卷。58岁的59 - 65)

今天更多的信息,向我们的专家。