铝砷化镓

铝砷化镓（Algaas）通常与之结合使用砷化镓(GaAs)在光电子器件(如vcsel)中形成反射镜。它也是多量子阱(MQWs)的组成部分，而多量子阱是许多器件性能的关键。铝砷化镓可采用干式蚀刻电感耦合等离子体(ICP)，反应离子蚀刻（RIE）或离子束腐蚀(IBE)．根据要求，蚀刻工艺可以是选择性的或非选择性的GaAs。

具有低特色脚和光滑的蚀刻表面的优异轮廓，高蚀刻速率。

晶片尺寸:200毫米
- 产品:PlasmApro 100.

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GaAs/AlGaAs可以用反应离子蚀刻（RIE）过程。具有低特色脚和光滑的蚀刻表面的优异型材。

单一晶片尺寸:200毫米
批量大小：6 x2”
- 产品:PlasmApro 100.

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砷化镓/ AlGaAs多层腐蚀

可以使用的蚀刻GaAs活性离子束腐蚀过程的技术。

具有竞争力的蚀刻速率，选择性和轮廓。

晶片尺寸:200毫米
- 产品:Ionfab 300.

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铝砷化镓

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