二氧化铪高频振荡器2是一种高k介电介质,用于高级集成电路的栅绝缘体。高频振荡器2可以使用以下过程类型存放:原子层沉积和反应离子束沉积(Ribd)
高材料质量,低损伤,即使在低沉积温度。
应用工艺专业知识来证明具有极好的可重复性的竞争性结果。