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磷化铟

bob平台下载手机版牛津仪器等离子技术为磷化铟(InP)设备的大批量生产提供世界领先的等离子体加工设备。

通过与主要制造商和主要研发领导者的密切合作,我们确保等离子解决方案的最新创新已准备好充分利用您的设备。等离子体工艺解决方案已开发使用电感耦合等离子体(ICP),反应离子蚀刻(RIE)或离子束蚀刻(IBE)。

磷化铟(InP)及其与铝、砷化物和镓的相关化合物构成了实现通信革命的许多设备的基础。InP用于高功率和高频光电子学以及固体激光器等电子器件。其优越的电子速度和直接带隙导致快速开关光学元件能够快速传输大量数据。它可以蚀刻使用电感耦合等离子体(ICP)活性离子蚀刻(RIE)离子束蚀刻

白皮书
基于InP的设备示例

基于InP的设备示例:
埋地分布式反馈(DFB)激光器

卓越的轮廓控制与光滑的侧壁和蚀刻表面在最佳的蚀刻速度。

  • 晶片尺寸:可达100mm
  • 批处理大小:高达4x2”
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在p氯化过程中

使用氯化化学过程,

InP ICP光滑表面

ICP-RIE在提供关键InP台面/山脊蚀刻所需的精确轮廓和光滑表面方面是无与伦比的

优异的各向异性和光滑的表面。精确的深度控制。

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极好的剖面控制。

  • 可与射频源CAIBE或RIBE
  • 晶片尺寸:最大可达200mm
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InP CAIBE

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