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(Pt)是一种高导电性的贵金属,通常用于半导体器件的电触点。由于其催化性能和在氧化环境中的稳定性,它可以用bob综合app官网登录于许多应用领域。

铂可以蚀刻用于制造各种先进的器件电感耦合等离子体(ICP)离子束蚀刻而且活性离子蚀刻(RIE).此外,它可以沉积使用原子层沉积(ALD)而且离子束沉积(IBD)。

铂

优化的蚀刻速率,良好的选择性抵抗。

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工艺可获得良好的蚀刻率,可与光刻胶掩模。

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Pt蚀刻旋转和可调倾斜。工艺专业知识应用于控制再沉积,并以具有竞争力的蚀刻速率生产良好的轮廓。竞争性过程结果。

  • 晶片尺寸:最大可达200mm
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离子束蚀刻与铂

优异的材料质量,不仅适用于200-300°C的沉积温度范围也用于热ALD,而且通过使用氧和氢等离子体也可以在较低的沉积温度。这些甚至可以降至室温,用于温度敏感的应用,如沉积在聚合物或电阻上。bob综合app官网登录

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竞争性过程结果。

  • 晶片尺寸:最大可达200mm
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