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硅(Si)

bob平台下载手机版牛津仪器等离子技术提供世界领先的工艺解决方案硅(Si).从快速,深度,可控蚀刻到最好的纳米结构,我们有你需要的等离子溶液。

Si是半导体工业的基石,也是大多数MEMS器件的原材料。它的特性和丰富程度意味着它在现代技术中始终存在。

蚀刻Si有几种解决方案,其选择在很大程度上取决于所需的器件结构:

  • 博世工艺使高蚀刻速率,选择性和各向异性
  • 低温深硅蚀刻(Cryo-DSiE)通常用于光滑侧壁和/或纳米蚀刻或微模具等应用中的锥形型材。bob综合app官网登录
  • 混合过程是浅的,低方面精细特征的选择
  • 高质量a-Si的沉积是通过PECVD
硅
  • 采用交替沉积和蚀刻步骤的高速率、高选择性深硅蚀刻工艺
  • 适用于硅、绝缘体上硅(SOI)和玻璃上硅
  • 晶片尺寸:2”
  • 晶片尺寸:200毫米
博世深硅蚀刻
博世DSi蚀刻牛津Logo 博世DSi蚀刻

深硅博世蚀刻

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聚硅可以使用纯硅和稀释硅烷的不同化学成分。高质量的多晶硅超过2英寸晶圆。

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如果混合蚀刻

硅可以用HBr基选择性硅蚀刻干蚀刻与电感耦合等离子体(ICP)过程的技术。

各种工艺化学的大型工艺数据库。
竞争工艺带来了大量的应用,从黑硅形成到高长宽比特征。bob综合app官网登录

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哈佛商业评论如果蚀刻
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各向同性硅蚀刻
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低温硅蚀刻

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超高选择性低温硅蚀刻

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