碳化硅(SiC)

碳化硅（SIC）具有电子和物理性质，可提供高功率应用的卓越性能设备。bob综合app官网登录它还用作生长高质量氮化镓（GaN）的基材，从而能够快速切换，高功率RF器件。可以使用SiC蚀刻电感耦合等离子体腐蚀(ICP)并使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或电感耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)．

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原文如此

白皮书:世界领先的SiC功率器件等离子体工艺解决方案

在这篇白皮书中，我们考虑了等离子体处理的作用及其在定义设备性能和应用的最佳策略中的重要性。我们还研究了原始SiC器件的结构，如sbd和mosfet。

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研讨会:启用SIC革命：等离子体处理以实现更好的性能

在本次网络研讨会中，您将学习关于等离子蚀刻和沉积在制造伟大器件中扮演重要角色的五大技巧。你想知道的关于碳化硅等离子体工艺解决方案的一切，但又不敢问!

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工艺专业知识用于证明高蚀刻率与无缺陷表面。在射频器件的Via蚀刻中对底层实现了极佳的选择性。在功率器件特征蚀刻中演示了良好的轮廓控制，没有沟槽。

晶片尺寸:200毫米
- 产品:100年PlasmaPro眼镜蛇＆PlasmApro 100 Polaris.

更多关于ICP蚀刻请求更多信息

针对具有竞争性蚀刻速率的缺陷自由蚀刻表面进行了优化的过程。

晶片尺寸:200毫米
- 产品尺寸：100年PlasmaPro RIE

更多关于RIE 请求更多信息

可以使用不同的化学试剂:纯硅烷和稀释硅烷
漆膜均匀，应力控制良好
可能使用PH掺杂_3.B₂H₆，TMB，TMP。

晶片尺寸:200毫米
对于300mm以下的晶圆联系我们
批量大小：6 x2”
- 产品:PlasmApro 100 ICPCVD.

更多关于ICPCVD. 请求更多信息

可以使用不同的化学试剂:纯硅烷和稀释硅烷
漆膜均匀，应力控制良好
可能使用PH掺杂_3.B₂H₆，TMB，TMP。

晶片尺寸:200毫米
- 产品:100年PlasmaPro PECVD

更多关于PECVD 请求更多信息