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氮化硅

氮化硅(SiNx)广泛应用于半导体行业。它的应用包bob综合app官网登录括设备钝化和蚀刻掩模。如果3.N4可使用以下技术存放:

氮化硅氮化硅

均匀性和轮廓性好,损伤小。

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各向异性和各向同性剖面可在竞争性刻蚀速率与优化均匀性。

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具有竞争力的蚀刻速率,选择性和轮廓。

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氮化硅是一种具有挑战性的ALD材料。我们的系统允许高材料质量和低损伤沉积,即使在低沉积温度。ALD氮化硅可用于防潮应用和作为先进晶体管的垫片。bob综合app官网登录

高材料质量,低损伤,即使在低沉积温度。

  • 晶片尺寸:200毫米
更多关于“肾上腺脑白质退化症” 请求更多的信息

可以使用不同的化学试剂:纯硅烷和稀释硅烷
高质量的电影,低BOE
优良的膜厚均匀性
含NH的氢含量低3.自由的过程
薄膜应力控制
折射率控制
低温沉积至20°C
沉积速率为5-100nm/min

更多关于ICPCVD 请求更多的信息

可以使用不同的化学试剂:纯硅烷和稀释硅烷
高质量的电影,低BOE
优良的膜厚均匀性
含NH的氢含量低3.自由的过程
薄膜应力控制
折射率控制
沉积速率为5-500nm/min

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优异的化学计量学与竞争沉积速率和控制应力。

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