二氧化硅(Sio2)各种形式是半导体,mem和光电设备的重要材料。石英用于增强现实(AR)的光栅;掺杂的氧化物用于波导和SIO2可用于设备钝化。Sio2可以使用几种技术沉积和蚀刻:
这plasmapro 100 Polaris汇集了独特的静电夹(ESC)技术以及我们建立的COBRA300 ICP源。这具有出色的可重复性,同时保持高蚀刻速度和曲线质量。
在优化的蚀刻速率下优化了对曲线的良好控制的过程。
高纵横比高质量纳米级SIO2蚀刻
在短周期的时间短(90毫秒Prec。和4.5 s等离子体)中非常高的共形性。礼貌/e
厚度和折射率的极佳均匀性,以及以高沉积速率可用的应力控制。可以使用不同的化学:纯和稀释的硅烷。
Sio2使用teos和o沉积2由ICP CVD在〜50μm深的沟槽中4:1纵横比
厚度和折射率的出色均匀性。应力控制以高沉积速率可用。可以使用不同的化学:纯和稀释的硅烷。