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扩张

氧化硅

二氧化硅(Sio2)各种形式是半导体,mem和光电设备的重要材料。石英用于增强现实(AR)的光栅;掺杂的氧化物用于波导和SIO2可用于设备钝化。Sio2可以使用几种技术沉积和蚀刻:

二氧化硅

plasmapro 100 Polaris汇集了独特的静电夹(ESC)技术以及我们建立的COBRA300 ICP源。这具有出色的可重复性,同时保持高蚀刻速度和曲线质量。

在优化的蚀刻速率下优化了对曲线的良好控制的过程。

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高纵横比高质量纳米级SIO2蚀刻

各向异性和各向同性曲线以优化的均匀性提供具有竞争力的蚀刻速率。

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具有优化功能倾斜的专业知识的概况控制。

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出色的材料质量和低伤害,即使在低沉积温度下也是如此。

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SIO2保征

在短周期的时间短(90毫秒Prec。和4.5 s等离子体)中非常高的共形性。礼貌/e

厚度和折射率的极佳均匀性,以及以高沉积速率可用的应力控制。可以使用不同的化学:纯和稀释的硅烷。

  • sih4/n2o
  • sih4/o2
  • teos/o2
  • 高品质的电影低矮的电影
  • 折射率控制
  • 低温沉积至20°C
  • 5-100nm/min的沉积率
  • 使用GEH可能掺杂4,ph3,b2H6,TMB,TMP。
  • 单晶片大小:最多200mm
  • 批量大小:最多5x2”
  • 单晶片大小:最多300mm
  • 批量大小:最高22x2“,9x3” 5x100mm,3x120mm
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Sio2沉积与Teos

Sio2使用teos和o沉积2由ICP CVD在〜50μm深的沟槽中4:1纵横比

厚度和折射率的出色均匀性。应力控制以高沉积速率可用。可以使用不同的化学:纯和稀释的硅烷。

  • sih4/n2o
  • teos/o2
  • 高品质的电影低矮的电影
  • 折射率控制
  • 5-> 1000nm/min的沉积率
  • 使用GEH可能掺杂4,ph3,b2H6,TMB,TMP。
  • 单晶片大小:最多200mm
  • 批量大小:最多9x2“,4x3”

  • 单晶片大小:最多300mm
  • 批量大小:最多43x2“,19x3”,10x100mm,7x120mm,4x150mm,2x200mm

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具有竞争沉积率的优质化学计量法。

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