五氧化二钽(助教2O5),也称为氧化钽(V),用于现代电容器和DRAM电容器中的高k介质。它可以蚀刻使用电感耦合等离子体(ICP)而且活性离子蚀刻(RIE).助教2O5可使用原子层沉积(ALD).
良好的蚀刻速率。
高材料质量,低损伤,即使在低沉积温度。
优秀的化学计量与竞争的沉积速率。