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氮化钽(TaN)可以用作铜或其他导电金属和热氧化物等介电绝缘体薄膜之间的阻挡层。TaN可使用原子层沉积(ALD)或蚀刻使用离子束刻蚀，电感耦合等离子体(ICP)而且活性离子蚀刻(RIE)．
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