的步伐。的性能。等离子体。

Atomfab提供快速、低伤害、低血浆ALD首席运营官生产处理氮化镓功率和射频设备。

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速度

Atomfab ALD最快的远程等离子体生产系统在市场上。

解决方案为您的生产需求

竞争首席运营官
快,易于维护
优秀的薄膜均匀性
高材料质量
低基质损害
更快的周期时间,高吞吐量
可集群和自动晶片处理

性能

Atomfab ALD技术为高级应用程序提供了精确控制超-薄膜在纳米范围内,随着保形涂层基质的敏感结构。bob综合app官网登录

为钝化的权力和射频设备过程的好处

由我们的工程师保证流程设置
生命周期过程支持额外的/新的过程
低损等离子体处理
高质量较低的沉积膜污染
粒子水平低
等离子体短曝光时间支持高吞吐量
等离子体表面预处理

优势的血浆ALD甘、电力及射频设备

与等离子体预处理前沉积提高界面的质量
低伤害,统一的沉积
肾上腺白质退化症患者与远程等离子体控制离子能量从近30 0到电动汽车
ALD钝化,闸极介电层₂O₃电影。

阅读更多关于ALD如何优化氮化镓功率设备在我们的白皮书。

氮化镓HEMTs

提高吞吐量和改善均匀性将远程血浆ALD生产。

等离子体

革命性的等离子体来源:Atomfab使用专利未决远程数据源专门为原子尺度处理。

低伤害敏感基板最大的设备性能
快速循环时间和可靠性均匀等离子体接触和薄膜沉积
短等离子体倍(250毫秒)通过新阿姆河
罢工时间短(80毫秒)高吞吐量
可再生的罢工时间为高收益、低反射功率

血浆ALD Al 2 <子> < /订阅> O <子> 3 < /订阅> 300°C	规范
在晶片厚度均匀性	<±1.0%
薄片厚度可重复性	<±1.0%
击穿电压	≥7.0 MV /厘米

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全球客户支持

bob平台下载手机版牛津仪器致力于提供一个全面、灵活和可靠的全球客户支持。我们提供优质服务的整个生命周期中您的系统。

远程诊断软件提供了快速和简单的故障诊断和解决
支持合同可适应预算和情况
全球快速反应的备件在战略位置

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白皮书:
ALD &啤酒GaN HEMT电力电子

新的氮化镓功率电子产品正在开发电力转换和交付。氮化镓的高流动性和击穿电压使其电力设备的理想材料。有几个策略来创建这样的设备和使用休会蚀刻的沃甘障碍是一个杰出的人。此外,栅介电层所需的限制泄漏电流。

读到现在

研讨会:
门电介质对氮化镓与ATOMFAB ALD设备

从2019年7月随时按需看这个网络研讨会。我们ALD专家,博士给艾琳O’mahony GaN ALD的大师级作品。我们看看如何实现良好的均匀性,优化工艺条件对低基质损害,高材质优良的设备性能和保形沉积。研讨会还包括介绍Atomfab ALD系统。

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