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Atomfab标志


的步伐。的性能。等离子体。

Atomfab为GaN电源和射频器件提供快速、低损坏、低CoO生产的等离子ALD处理。

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速度

Atomfab是市场上最快的远程等离子体生产ALD系统。


满足您生产需求的解决方案

  • 竞争首席运营官
  • 快速、易维护
  • 极佳的薄膜均匀性
  • 高材质
  • 低衬底损伤
  • 更快的循环时间,高吞吐量
  • 可集群和自动化的晶片处理
Atomfab 3系统集群

性能

Atomfab的ALD技术为纳米级的高级应用提供了精确控制的超薄膜,具有敏感衬底结构的保形涂层。bob综合app官网登录


电源和射频器件钝化的工艺优势

  • 我们的工程师有保证的流程设置
  • 附加/新进程的生命周期进程支持
  • 低损伤等离子体加工
  • 高质量沉积,低膜污染
  • 低颗粒水平
  • 等离子体暴露时间短,通量高
  • 等离子体表面预处理


等离子ALD用于GaN、功率和射频器件的优势

  • 在沉积前进行等离子体预处理,以提高界面质量
  • 损伤低,沉积均匀
  • 远程等离子ALD与控制离子能量从近零到30 eV
  • ALD钝化,栅极介质采用铝2O3.电影。

阅读更多关于ALD如何优化GaN功率器件白皮书

氮化镓HEMTs

氮化镓HEMT

提高产量和改善均匀性,使远程等离子ALD投入生产。

等离子体

革命性的等离子体源:Atomfab使用一种正在申请专利的远程源,专为原子级处理而设计。

  • 低损坏敏感基片,最大的设备性能
  • 快速循环时间和可靠性,均匀的等离子体曝光和薄膜沉积
  • 正在申请专利的AMU使等离子体时间缩短(250ms)
  • 打击时间短(80ms),高吞吐量
  • 可重复的打击时间和低反射功率,高产
Atomfab在衬底上表现出优异的ALD均匀性
300℃时血浆ALD Al2O3
规范
在晶圆厚度均匀性内 <±1.0%
片与片之间厚度的重复性 <±1.0%
击穿电压 ≥7.0 MV /厘米
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全球客户支持

bob平台下载手机版牛津仪器致力于为全球客户提供全面、灵活、可靠的支持。我们在您系统的整个生命周期内提供优质的服务。

  • 远程诊断软件提供快速简便的故障诊断和解决方案
  • 支持合同可用于适应预算和情况
  • 全球备件在战略位置,快速响应

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白皮书:
用于GaN HEMT电力电子产品的ALD和ALE

新的GaN电力电子器件正在开发用于电力转换和传输。GaN的高迁移率和击穿电压使其成为电力器件的理想材料。制造这种器件有几种策略,其中采用凹穴蚀刻AlGaN势垒是一种突出的策略。此外,需要栅极电介质层来限制泄漏电流。

读到现在

研讨会:
氮化镓器件的栅极介质

自2019年7月起随时点播观看本次网络研讨会。我们的ALD专家Aileen O'Mahony博士为GaN提供了ALD大师课程。我们着眼于如何实现优异的均匀性、优化的工艺条件以降低衬底损伤、高材料质量以实现优越的器件性能和保形沉积。网络研讨会还包括对Atomfab ALD系统的介绍。

请立即联系我们以获取更多信息