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300℃时血浆ALD Al2O3 |
规范 |
在晶圆厚度均匀性内 | <±1.0% |
片与片之间厚度的重复性 | <±1.0% |
击穿电压 | ≥7.0 MV /厘米 |
新的GaN电力电子器件正在开发用于电力转换和传输。GaN的高迁移率和击穿电压使其成为电力器件的理想材料。制造这种器件有几种策略,其中采用凹穴蚀刻AlGaN势垒是一种突出的策略。此外,需要栅极电介质层来限制泄漏电流。
自2019年7月起随时点播观看本次网络研讨会。我们的ALD专家Aileen O'Mahony博士为GaN提供了ALD大师课程。我们着眼于如何实现优异的均匀性、优化的工艺条件以降低衬底损伤、高材料质量以实现优越的器件性能和保形沉积。网络研讨会还包括对Atomfab ALD系统的介绍。