产品
PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速蚀刻速率。该工艺模块提供卓越的均匀性,高通量,高精度和低损坏的工艺,晶圆尺寸可达200mm。
我们的系统在大批量生产(HVM)中拥有广泛的安装基础,并具有完善的工艺解决方案。PlasmaPro 100 Cobra支持多个市场,包括GaAs和InP激光光电子,SiC和GaN电力电子/RF和MEMS和传感器。
高蚀刻速率和高选择性
低损伤蚀刻,高重复性加工
单片负载锁定或最多3个工艺模块
背面冷却,以达到最佳温度控制
电极温度范围广,-150°C至400°C
- 兼容200mm以下的所有晶圆尺寸
- 晶圆尺寸变化快
- 拥有成本低,易于使用
- 原位腔室清洗和末端定位