80年PlasmaPro RIE

PlasmaPro 80

带操作员的PlasmaPro 80

PlasmaPro 80反应性离子蚀刻(RIE)是一种紧凑，占地面积小的系统，提供灵活的蚀刻和沉积解决方案，方便的开放加载。它易于安装和使用，在过程质量上没有任何妥协。开式加载设计允许快速加载和卸载晶片，非常适合研究、原型设计和小批量生产。它可以使用优化的电极冷却和优良的衬底温度控制实现高性能工艺．

开式加载设计，快速上、下片
优良的蚀刻控制和速率测定
优异的晶片温度均匀性
可达200mm晶圆
拥有成本低
符合Semi S2/S8标准

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占用空间小-易于定位
优化电极冷却-基板温度控制
高导径向(轴对称)泵送结构-保证提高工艺的均匀性和速度
增加了< 500ms数据日志记录-气室和工艺条件的追溯和历史
短背的涡轮泵-高泵速和优异的基压
轻松访问关键组件-提高了可用性和维护能力
X20的控制系统-大大增加数据检索，并提供更快、更可重复的匹配
通过前端软件进行故障和工具诊断—快速故障诊断
激光端点检测使用干涉测量-测量透明材料在反射表面上的蚀刻深度(例如，Si上的氧化物)，或非透明材料(如金属)的反射测量法，以确定层边界
用于大样品或批处理终点的发射光谱法(OES)-检测腐蚀副产物的变化或活性气体种类的消耗，以及室清洁末端指向

III-V腐蚀过程
硅博世和低温蚀刻工艺
类金刚石(DLC)沉积
SiO₂和石英腐蚀
使用特殊配置的PlasmaPro FA工具，从封装芯片和模具蚀刻到全200mm晶圆蚀刻，进行干式蚀刻的失效分析
用于高亮度LED生产的硬掩模蚀刻

InP波导的RIE

InP波导的RIE

7 μm聚酰亚胺特性RIE

7 μm聚酰亚胺特性RIE

我们有幸与来自伦敦大学学院的两位高级研究员进行了交谈，他们使用了我们的PlasmaPro®80 RIE系统，介绍了他们最新的量子和光电子器件相关的研究项目。

奥斯卡肯尼迪博士使用等离子体专业RIE系统创建超导电路通过蚀刻超导NbN公司禁止电影,而翼Ng博士使用RIE系统准确的模式与胎侧光滑50 nm差距一双波导之间基于芯片-光学缓冲。

反应离子蚀刻在半导体器件的制造过程中提供了优良的过程控制，并被用于许多器件制造过程。阅读案例研究了解研究项目。

UCL的PlasmaPro 100 RIE病例研究

阅读完整的案例研究

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全球客户支持

bob平台下载手机版牛津仪器公司致力于为全球客户提供全面、灵活和可靠的支持。我们为您的系统提供终身优质的服务。

远程诊断软件提供快速、简单的故障诊断和解决方法。
支持合同适用于预算和情况。
全球备件在战略位置快速反应。

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PTIQ是PlasmaPro和Ionfab加工设备的最新智能软件解决方案。

卓越的响应系统控制水平
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